Модуль памяти для компьютера DDR-3 8GB 1600 MHz Samsung (M378B1G73EB0-CK0)
1, 1600 MHz, CL11, 1.5V
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с), сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Модуль памяти DDR-3 8GB 1600 MHz Samsung (M378B1G73EB0-CK0) работает с тактовой частотой 1600 MHz. Модуль памяти имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Гарантия 60 мес.
1, 1600 MHz, CL11, 1.5V
DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2: более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/с), сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания), меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.
Модуль памяти DDR-3 8GB 1600 MHz Samsung (M378B1G73EB0-CK0) работает с тактовой частотой 1600 MHz. Модуль памяти имеет параметр CL11, что обозначает величину латентности, равную 11. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах , обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.
Гарантия 60 мес.
Tags: M378B1G73EB0-CK0